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微电子工艺专有名词4

发布时间:2020-07-21 17:45:48 阅读: 来源:化学试剂生产家厂家

151 RESOLUTION 解析力 1. 定义:解析力在IC制程的对准及印刷(Align & Print)过程中站着相当重要的地位,尤其演进到VLSI后,解析力的要求就更高了。它是对光学系统(如对准机、显微镜、望远镜等)好坏的评估标准之一,现今多以法国人雷莱(Rayleigh)所制定的标准遵循之。物面上两光点经光学系统头于成像面上不会模糊到只被看成一点时,物面上两点间之最短距离。若此距离越小,则解析力越大。(通常镜面大者,即NA大者,其解析力也越大)解析力不佳时,例如对准机对焦不清时,就会造成CD控制不良,Metal桥接,Contact瞎窗或开窗过大等。 152 RETICLE 光罩 为使IC各个线路在芯片上成形(PATTERN),则必须有规范露光及遮光区域(规范曝光成形)的赵子,此称为光罩。 153 REWORK/SCRAP/WAIVE 修改 /报废/签过 修改:分ADI修改,AEI修改ADI修改:将光阻去除,重新上新光阻,已定义新的或精确的图形。AEI修改:将已沉积或氧化的厚厚或薄层去除,重新沉积或氧化。报废:芯片受污染或流程不合规范上之规定,造成芯片有无良率之可能,则停止流程不继续生产谓之。签过:当芯片流程至某步骤时,发现图形或规格不合于规范内之规定,但其影响不致使芯片达报废之程度,可由工程师签署,继续流程。 154 RUN IN/OUT 挤进/挤出 1. 定义:对准不良的一种;挤进(Run in):不管是在水平或垂直方向,芯片中央附近对准良好,而两边图案向中央挤进。挤出(Run out):不管是在水平或垂直方向,芯片中央附近对准良好, 而两边图案向中央挤出。 155 SCRUBBER 刷洗机 1. 在沉积或蚀刻制程之后常会有些微尘落在芯片表面,此种P/D可刷洗去除,避免对良率的伤害。2. 依照膜的性质,及机台的特性不同,通常我们有下列5种不同刷洗方式:- 去离子水冲洗- 毛刷刷洗- 高压水刷洗- 毛刷加高压水刷洗- 芯片双面刷洗 156 SAD(SOFTWARE DEFECT ANALYSIS) 缺陷分析软件 将每片晶圆及芯片上的缺陷送入计算机中,利用缺陷分析软件,将缺陷分类,一便利统计及分析的工作。目前89%微缩型产品分类如下:SBIT PSG PBTL CLTT OTHTPROW HROW SROW FROW 2ROWNROW OCL1 OCL2 QCL1 QCL2HCL1 HCL2 OTCO WCL1 WCL2YSEL NCOL LCIO BLK1 BLK2BLK3 OTHR APEO RWCL目前HYDRA产品分类如下:SBIT PBCT PBTL CLTT OTHTPRW1 PRW2 PRW3 FROW 2RW12RW2 NRW1 NRW2 OCL1 OCL2QCL1 QCL2 HCL1 HCL2 WCL1WCL2 YSEL NCOL APED RWCLBLK1 BLY2 BLK3 OTHR(以上均为分类时使用之表示名称) 157 SEM(SCANNING ELECTRON MICROSCOPE) 电子显微镜 EM最常用之运作方式为发射电子束方式(EMISSIVE MODE),电子油灯丝放出,而由5~30KV之电压加速,再经过电磁透镜使电子束聚集照射至试片表面。一般使通过扫描线圈之电流同时通过相对应之阴极射线管偏折电子束,而在萤光幕上产生相似而较大之扫描动作,达到放大之作用。扫描式电子显微镜的解像能介于光学显微镜与穿透式电子显微镜之间,可用于检验固体试片,由于视野纵深长,可显示清晰三度空间像。 158 SELECTIVITY 选择性 1. 定义:两种材料,分别以相同的酸液或电浆作蚀刻,其两种蚀刻率之比值谓之。例如复晶电浆蚀刻:对复晶之蚀刻率为2000?/min对氧化层之蚀刻率为200 ?/min则复晶对氧化层之选择性:SS=2000?/min/200 ?/min=10选择性越高表示蚀刻特性越好。一般干事实刻选择性较化学湿蚀刻为差,吾人取较高的选择性之目的即在于电浆蚀刻专心蚀刻该蚀刻之氧化层,而不会商道上层光阻或下层氧化层,以确保蚀刻之完整性。 159 SILICIDE 硅化物 一般称为硅化物(Silicide),指耐火金属(Refratory Metal)之硅化物,如钛(Ti)、钨(W)、钼(Mo)等与元素硅(Si)结合而成之化合物(TiSi2、Wsi2、MoSi2)。硅化物应用在组件之目的,主要为降低金属与硅接口]、闸极或晶体管串联之阻抗,以增加组件之性能。以钛之硅化物为例。 160 SILICIDE 金属硅化物 1. 定义:Silicide通常指金属硅化物,为金属与硅之化合物。2. 目的:在微电子工业硅晶集成电路中主要用为2-1导体接触(Ohmic Contact)2-2单向能阻接触(Schottky Barrier Contact)2-3低阻闸极(Gate Electrode)2-4组件间通路(Interconnect)在VLSI(超大规模集成电路)时代中,接面深度及接口接触面积分别降至次微米及1~2平方毫米,以往广泛应用为金属接触的Al,由于严重的川入半导体问题,在VLSI中不再适用。再加上其它技术及应用上的需求,金属硅化物在集成电路工业上日亦受到重视。由于集成电路中之金属硅化物限于近贵重(Pt,Pd、Co、Ni、…)及高温金属(Ti、W、Mo、Ta)硅化物。 161 SILICON 硅 硅-SI(全文SILICON)为自然界元素之一种,意即我们所使用的硅芯片组成元素,再元素周期表中排行14,原子量28.09,以结晶状态存在(重复性单位细胞组成),每一单位细胞为由一个硅原子在中心与其它4个等为硅原子所组成之四面体(称为钻石结构)如图标中心原子以其4个外围共价电子与邻近之原子其原型或其价件之结合。硅元素之电子传导特性介于金属导体与绝缘体材料之间(故称为半导体材料),人类可经由温度之变化、能量之激发及杂质参入后改变其传导特性,再配合了适当的制程步骤,便产生许多重要的电子组件,运用在人类的日常生活中。 162 SILICON NITRIDE 氯化硅 氮化硅是SixNY的学名。这种材料跟二氧化硅有甚多相似处。氮化硅通常用低压化学气相沉积法或电浆化学气相沉积法所生成。前者所得之薄膜品质较佳,通常作IC隔离氧化技术中的阻隔层,而后者品质较差,但因其沉积时温度甚低可以作IC完成主结构后的保护层。 163 SMS (SEMICODUCTOR MANUFACTURING SYSTEMS) 半导体制造系统 此SMS – 半导体制造系统为德州仪器公司(TI)为辅助半导体的生产制造而发展出的——计算机软件系统,其主要功能包含有:1) 制程变更控制2) 制程数据搜集与统计图表3) 制程与操作规格制定4) 机台维护追踪5) 生产计划制定6) 线上统计报表7) 在制品操作与追踪8) 自动化系统接口 164 SOFT WARE, HARD WARE 软件 ,硬件 1. 定义:大略而言,所谓硬件可泛指像PC-BOARD,机台外壳等一些零组件;而软件一般指运用程序,指令一套完整之控制系统,可经由程序、指令之修改而修改,以人为例子,软件就好比脑中之记忆、思想,可控制整个身体各部分之动作,而硬件就好比人的手、足、眼、耳等器官;由以上之比喻,可知道软件、硬件是相辅相成,缺一不可。近来尚有一种介于Software、Hardware之间,称为Firm-Ware,他的功用,,就相当于把软件写入硬件(比如PROM),以加快速度,因此软、硬件间的区分也变得较不明显了。 165 S.O.G.(SPIN ON GLASS) 旋制氧化硅 旋制氧化硅(Spin on Glass)是利用旋制芯片,将含有硅化物之溶液均匀地平涂与芯片上,在利用加热方式与溶剂驱离,并将固体硅化物硬化程稳定之非晶相氧化硅。其简单流程如下:旋转平涂→加热烧烤→高温硬化(~450℃)旋制氧化硅是应用在组件制造中,金属层间之平坦化(Planization)。以增加层与层之间的结合特性,避免空洞之形成及膜之剥裂。 166 S.O.J.(SMALL OUTLINE J-LEAD PACKAGE) 缩小型J形脚包装IC 因外脚弯成“J”字形,且外伸长度较一般I.C.为小儿得名。是记忆I.C.的普遍化包装形态,为配合表面粘着技术的高集积度要求而诞生。 167 SOLVENT 溶剂 1. 两种物质相互溶解成一种均匀的物质时,较少的物质被称为溶质,较多的物质被称为溶剂。例如:堂溶解于水中,变成糖水,则糖为溶质,水为溶剂,缓和的结果称为溶液。2. 溶剂分有机溶剂与无机溶剂两种: 2-1有机溶剂:分子内含有碳原子的称为有机溶剂,例如丙酮 (CH3COCH3)、IPA(CH3CHOHCH3)。2-2无机溶剂:分子内不含有碳原子的称为无机溶剂,例如硫酸(H2SO4),氢氟酸(HF)3. 在FIB内所通称的溶剂,一般是只有机溶液而言。 168 SPECIFICATION(SPEC) 规范 规范是公司标准化最重要的项目之一,它规定了与生产有关事项的一切细节,包括机台操作、洁净室、设备、保养、材料、工具及配件、品管、可靠性、测试…等等。IC制造流程复杂。唯有把所有事项钜细靡遗的规范清楚并确实遵照规范执行,检讨规范是否合理可行,相关规范是否有冲突,已达自主管理及全员参与标准化之目的。 169 SPICE PARAMETER SPIC参数 1. 定义:SPICE是一个分析非线性DC、非线性瞬间AC和线性AC行为的电路仿真程序。其由各种不同的半导体组件模式计算之,有DIODES、BJT’S、JFET’S、MOSFET’S等,利用此种模式计算仿真实际半导体电路的工作情形。而使用于这些模型上的计算参数统称「SPICE参数」。目前由于公司使用之模式为HSPICE Level 2,故一般常说之SPICE参数,即指Design Rules所提供之HSPICE Level 2中MOSFET所用到的参数。 170 S.R.A(SPREADING RESISTENCE ANALYSIS) 展布电阻分析 在下列一些情况,可利用S.R.A.方法来得到其Resisitivity:(1) n on n+ layer, p on p+ layer(2) n on p layer, p on n layer(3) depth profiling(4) lateral profiling(5) very small areas在测量Resistivity的方式有很多,但若要降低校正,则一定要使用到Point-Contact Probe的展布电阻。 171 SPUTTERING 溅镀 溅镀乃是带能量的离子撞击物体,致使表面的原子飞散出来,附着于基板上形成薄膜之现象。当所加电流为直流时,称为直流溅镀(D.C SPUTTERING):所加电流为射频时,称为射频贱镀(RADIO FREQUENCY SPUTTERING)。基于经济及效率观点,氩气为最常使用之气体。当氩气被快速电子碰撞时产生氩离子,此时电子数目增加并且同时受电场再加速,以便再次进行游离反应,如此不去如同雪崩(AVALANCHE)一样产生辉光放电(GLOW DIS CHARGE),氩气离子受阴极(靶材)吸引,加速碰撞靶材,将表面原子打出而吸附在基本上。由于溅镀有薄膜厚度容易控制、组织均匀、表面相当平滑等优点,因此被电子工业广泛地使用。 172 SSER(SYSTEM SOFT ERROR RATE TEST) 系统暂时性失效比率测试 Soft Error为所有发挥性组件之共有特性。对DRAM而言,每记忆细胞(Memory Cell)所存电荷(charge-to-sense)存在一刻开关的接面(junction),以空乏(depleted)的状态存在。当该细胞有高能粒子源(e.g. α-particle From molding compound),使所存电荷消失或减少到无法侦测时,该细胞便暂时消失。 173 STEP COVERAGE 阶梯覆盖 STEP COVERAGE』系冷指芯片上各层次间各项薄膜、沉积材料等,当覆盖、跨越过底下层次时,由于底下层次高低起伏不一及有线条粗细变化,会造成此薄膜、沉积材料在产品部分区域(如高低起伏交界处)覆盖度会变差,此变差的程度,即为『STEP COVERAGE』一般系以厚度变化比表示: STEP COVERAGE =厚度最薄处/厚度 最厚处此比例越接近1越佳,反之越差,正常言均应达50﹪以上。 174 STEPPER 步进式对准机 1. 定义:Stepper(步进式对准机)系Stepprojection aligner 之简称。Stepper与Project aligner原理类似,只是将每片芯片分为20~60次曝光完成。Stepper使用自动对准,不但迅速、精确,且可使用计算机计算、补偿。对准方式可分为Global、Die by Die、Advanced Global Alignment,此三种方式均可补偿因芯片形变造成之对准不良(如Run in/Run out)。Stepper亦可按缩影比例,分为1X、5X、10X三种。以最常见之5X为例,光罩上一条5u之直线,曝在芯片上,仅1μ而已。 175 SURFACE STATES 表面状态 1.定义:表面状态是介在Si-SiO2接口的政电荷,也叫做Interface States。形成表面状态的原因,是作氧化步骤时Si会从表面移去而与O2反应。当氧化停止时,有些离子Si会留在靠近接口处。这些为完全键结的Si离子会沿着表面形成一条正电荷QSS。电荷大小决定于下列因素:氧化速度、后续热处理步骤及Crystal Orientation。在{111}表面,良好的氧化步骤下,其表面状态密度约为5

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